________________________________________________________________________________________________________________________________SOMOS JA-BOTS.COMDISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.________________________________________________________________________________________________________________________________HACEMOS ENVÍOS A TODO EL PAÍS.SI COMPRAS ANTES DEL MEDIO DIA 12:00PM DESPACHAMOS TU PEDIDO EL MISMO DÍA, SI LO COMPRAS DESPUES DESPACHAMOS TU PEDIDO AL SIGUIENTE DÍA HABIL________________________________________________________________________________________________________________________________El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.Características:• Polaridad de transistor: N-Channel• Disipación total del dispositivo (Pc): 115• Tensión colector-emisor (Vce): 400• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5• Tensión emisor-compuerta (Veg): 18• Corriente del colector DC máxima (Ic): 20• Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175• Capacitancia de salida (Cc), pF: 75• Emcapsulado:To252Aplicaciones: • Inversores solares• UPS• IH Cooker• Soldadores y PFC donde las bajas pérdidas de conducción son esenciales.