Capacidad 16Gb (2x8gb)Tipo 204-Pin DDR3 SO-DIMMVelocidad DDR3L 1600 (PC3L 12800)Latencia CAS 11Voltaje 1.35VECC NoBuffered / Registered UnbufferedCaracteristicasFuente de alimentación de 1.35 V (1.28 V ~ 1.45 V) y 1.5 V (1.425 V ~ 1.575 V) de JEDECVDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V)800 MHz fCK para 1600 Mb / seg / pin8 bancos internos independientesLatencia programable de CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6Latencia aditiva programable: reloj 0, CL-2 o CL-1Precarga de 8 bitsNota: Se entregará marca Samsung con la certificación y las mismas características.