IRFP250 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 200V/33AEl transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRFP250NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200VVoltaje de compuerta a fuente de ± 20VResistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10VDisipación de potencia Pd de 214W a 25 °CCorriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° CLa temperatura de funcionamiento es desde -55°C hasta 175°CAplicaciones: Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de ConsumoCARACTERISTICAS:Polaridad: Canal NTensión drenaje-fuente Vds: 200 VTensión Vgs de medición Rds(on): 10 VTensión umbral Vgs: 4 VIntensidad drenador continua Id: 30 AResistencia de activación Rds(on): 75 mohmDisipación de potencia Pd: 214 WTemperatura de funcionamiento máxima: 175 ° CEncapsulado TO-2473 pinesESPECIFICACIONES:Referencia de producto: IRFP250