**Los parámetros básicos**1. Interfaz: M.2 2280 (PCIe Gen5x4, NVMe2.0)2. Velocidad de lectura: 9500MB/s-10000MB/s3. Velocidad de escritura:8500MB/s-10000MB/s4. 4K velocidad de lectura aleatoria:1300K iops-1400K iops5. 4K velocidad de escritura aleatoria:1500K iops6. Escribe cantidad:700TBW-1400TBW7. Sistema aplicable:Windows, Linux**Sobre la disipación de calor**El nuevo blindaje de aletas de disipación de calor ha seleccionado un acabado compuesto de aluminio die casting,arte, disipación de calor eficiente, estado de alta carga, la tasa de lectura todavía puede cerca del pico.**Sobre la tecnología**Magnesio light 6 generación 3D NAND flash (B58R), tiene con tecnología de memoria flash apilada de 232 capas, en comparación con la generación anterior apilada. El número de capas aumentó en un 32% y el tamaño de cierre se redujo en un 28%**Servicios criptográficos**Soporte TRIM & s.m.a.rt, cifrado aes-256, alto nivelación del desgaste de la etapa, función de protección térmica adaptativa, energía de ahorro de energía gestión, tecnología de espacios reservados**Sobre el pellet**La selección de gránulos de fábrica originales garantiza que cada vez que se lee y escribe puede ser suave y rápido,configuración de caché SLC dinámico con hasta 4GB*LPDDR4 DRAM. Se pueden lograr altas frecuencias de forma rápida y constante y ayuda a prolongar la vida de los gránulos de TLC.** Sobre Nosotros **Fanxiang es un fabricante profesional que proporciona una solución integral de accesorios de computadora, integrando la producción, investigación y desarrollo y ventas de productos de almacenamiento electrónico. Con experiencia de los ricos, sobre cualquier pregunta relacionada con el uso del producto, por favor póngase en contacto con nosotros a través de la página de la orden, habrá un técnico profesional para ayudarle a resolver el problema.