SOMOS JA-BOTS.DISTRIUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.ENVÍOS A TODO EL PAÍS.El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.Cantidad:• 1 Unidad – Transistor Mosfet IRF3808Caracteristicas:• Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W• Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V• Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V• Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A• Carga de compuerta (Qg): 150 nC• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 OhmAplicaciones:• Circuitos de alta potencia.