DescripciónSOMOS JA-BOTSDISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.ENVÍOS A TODO EL PAÍS.El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.Cantidad:1 unidad – Transistor MOSFET IGBT 20N60C3Características:Polaridad: Canal-NVDS Tensión de la fuente de drenaje: 600VVGS Tensión puerta-fuente: -,+30VID Corriente de drenaje (continua Tc=25C) = 20ADisipación de potencia PD 208 WAplicaciones:Control de motoresFuentes de alimentaciónFuentes conmutadas