ESPECIFICACIONES TECNICAS:Categoría de producto: Transistores IGBTTecnología: SiPaquete / Cubierta: TO-247-3Estilo de montaje: Through HoleConfiguración: SingleMáx. voltaje VCEO colector-emisor: 600 VVoltaje de saturación colector-emisor: 1.5 VMáximo voltaje puerta-emisor: +/- 20 VColector de Corriente Continua a 25 C: 80 ADp - Disipación de potencia : 428 WTemperatura de trabajo mínima: - 40 CTemperatura de trabajo máxima: + 175 CAltura: 21.1 mmLongitud: 16.03 mmAncho: 5.16 mmCorriente continua del colector: 80 ACorriente de fuga puerta-emisor: 100 nATipo de producto: IGBT TransistorsReferencia de producto: IKW75N60T (K75T60)