Número de Parte: PSMN3R9-60XSTipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: NESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pd): 55 WTensión drenaje-fuente |Vds|: 60 VTensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 VCorriente continua de drenaje |Id|: 75 ATemperatura operativa máxima (Tj): 175 °CCARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASTensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 VCarga de compuerta (Qg): 103 nCTiempo de elevación (tr): 71.2 nSConductancia de drenaje-sustrato (Cd): 743 pFResistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 OhmEmpaquetado / Estuche: TO-220F