N-Channel MOSFET Transistor IRF3205FEATURES·Staticdrain-sourceon- resistance: RDS(on)=8.0mOhm·Enhancementmode·FastSwitchingSpeed·100%avalanchetested·MinimumLot-to-LotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationDESCRITION·reliable device for use in awide variety of applications...................................................................................................ransistor MOSFET de canal N IRF3205CARACTERÍSTICAS· Resistencia a la fuente de drenaje estático: RDS (encendido) =8.0mOhm· Modo de mejora· FastSwitchingSpeed· 100% avalanchado· Variaciones mínimas de lote a lote para un excelente rendimiento del dispositivo y un funcionamiento confiableDescripción· Dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.